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제품소개
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| 031-286-3172 |
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업무 Process
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- External Inspection
- X-ray
- Scanning Acoustic Microscope
- Parameter Analysis
- Emission Analysis
- Low & High Power Scope & SEM
- Package Decapsulation
- Chip Delayer
- FIB & TEM & EDX
- Cross Section
- Dye & Pry Analysis
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분석내용
비 파괴 분석
- X-ray
- SAT
- Parameter Analysis
- High Power Scope
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파괴 분석
- Decapsulation
- Cross section
- Layer 추출
- 광학 분석(현미경)
- 주사현미경 분석
- 회로 분석
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네트워크 분석
- ESD
- 신뢰성 분석
- PHEMOS, THEMOS
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분석 항목별 소개
X-ray Analysis
- 개요
- X선 현미경, 초음파 검사기를 이용하여 제품에 손상을 입히지 않고 개략적인 내부구조 및 구성물질을 분석하는 방법
- 적용분야
- - Gold wire, Lead frame 이상 유무 확인
- Void 분포 확인
- 비파괴적으로 Soldering 확인
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SAT(Scanning Acoustic Microscope)
- 개요
- 가청 주파수 이외의 주파수를 갖는 초음파의 물리적인 성질을 이용하여 박리 현상의 위치 및 크기와 내부 chip의 크기 측정하는 방법
- 적용분야
- - 초음파를 이용하여 박리 현상 확인
- die crack 위치 확인
- 패키지 내부 결함 관찰
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Parameter Analysis(I_V 측정)
- 개요
- LCR Meter, Parameter Analyzer 등을 이용하여 제품의 IV, CV, Leakage Current 등의 Parameter를 추출하여 디바이스의 특성을 분석하는 방법
- 적용분야
- - 품질 판정, 불량 부위 분석
- 전압, 전류, 파형 확인
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Decapsulation
- 개요
- Chip 내부 구조를 파악하기 위해서 물리적, 화학적 에칭 등을 이용하여 패키지를 제거하는 방법
- 적용분야
- - 내부 Wire bonding pad 확인
- 반도체 Chip 불량 유무 확인
- Hole decap 후 전기적 측정 가능
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Cross Section Analysis(단면 관찰 분석)
- 개요
- 단면시편 제작 후 고배율 현미경 (Scope, SEM, FIB, TEM etc..)등을 사용하여 구조를 분석하는 분석 기법
- 적용분야
- - 반도체 Chip 내부 단면 구조
- 반도체 Chip 내부 연결 불량 확인
- PCB Soldering 연결 문제 및 구조
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Delayer(불량 분석)
- 개요
- 각 층별로 불량이 발생하였을 때, 반도체 내부의 구조 및 분석을 위해 각 층을 하나씩 제거하는 방법
- 적용분야
- - 회로 불량 확인
- 반도체 Chip 내부 구조 확인
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SIMS(Secondary Ion Mass Spectroscopy)
- 개요
- 2차 이온 질량분석법으로써 시료의 표면 분석을 통해 표면정보(조성 및 성분)를 얻을 수 있는 분석 기법
- 적용분야
- - LED MOV 구조분석
- GaN 박막내 dopant 농도 정량 및 doping 형태 분석
- GaN 박막내 불순물 농도 정량분석
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SEM(Scanning Electron Microscope)
- 개요
- Electron beam이 시편에 주사 되면서 이때 이차적으로 발생 되는 다양한 전자를 이용하여 관찰 하고자 하는 부분을 확대하여 관찰 할 수 있다.
- 적용분야
- - 표면 관찰
- 길이 측정
- 불량 위치 확인
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FIB(Focused Ion Beam)
- 개요
- 미소 영역을 타깃으로 하는 핀 포인트 관찰이 가능하고, 다른 종류의 여러 재료를 균일한 두께로 연마 할 수 있다.
- 적용분야
- - TEM 시료 제작
- 미세 회로 수정
- 미세 단면 관찰
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TEM (Transmission Electron Microscopy)
- 개요
- 시료 내부를 투과한 전자를 이용하여 고 배율의 영상을 형성 할 수 있고, X-선 처럼 전자 회절도 가능 하여 물체의 내부구조와 결정구조 등을 관찰 할 수 있다.
- 적용분야
- - 물질 및 신소재 조성 분석
- 나노 소자의 계면 및 박막 성분 분석
- 나노 미터 수준의 공간 분해능
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